Samsung Electronics เปิดศูนย์วิจัยและพัฒนาชิป 3D DRAM รุ่นใหม่ในสหรัฐฯ ที่มีความเร็วเกิน 100 Gbps ในขนาดไม่เกิน 10 nm

Samsung Electronics ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของโลก สร้างศูนย์วิจัยแห่งใหม่ในสหรัฐอเมริกา เพื่อมุ่งเน้นไปที่การพัฒนา 3D DRAM (หน่วยความจำแบบไดนามิก) รุ่นต่อไป

ศูนย์วิจัยแห่งใหม่นี้ดำเนินงานภายใต้ Device Solutions America (DSA) ซึ่งดูแลการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ของ Samsung ในสหรัฐฯ จะทำงานเพื่อพัฒนาโมเดล DRAM ที่อัปเกรดแล้ว เพื่อให้ Samsung เป็นผู้นำตลาดชิปหน่วยความจำ 3D ทั่วโลก

ในเดือนตุลาคม 2566 Samsung Electronics กล่าวว่ากำลังเตรียมโครงสร้างสำหรับเทคโนโลยี 3D รุ่นใหม่ สำหรับ DRAM ที่มีขนาดต่ำกว่า 10 นาโนเมตร และมีความเร็วเกิน 100 กิกะบิต/วินาที (Gbps) 

ทั้งนี้ Samsung ประสบความสำเร็จกับการขายเมมโมรี่ชิป NAND เป็นครั้งแรกในปี 2013