ลดช่องว่างสงครามเทคโนโลยี CXMT บริษัทชิปของจีน สามารถผลิตชิปขั้นสูงรุ่นใหม่ ซึ่งจะลดช่องว่างระหว่างจีน กับ เกาหลีใต้/สหรัฐฯ

CXMT บริษัทเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำของจีน ผลิตชิปหน่วยความจำมือถือขั้นสูงเจเนอเรชันใหม่ตัวแรกของประเทศได้สำเร็จ ซึ่งถือเป็นก้าวสำคัญในการลดช่องว่างระหว่างคู่แข่งอย่างเกาหลีใต้และสหรัฐฯ 

ฉางซิน เมโมรี เทคโนโลยีส์ (Changxin Memory Technologies) หรือ CXMT ระบุในแถลงการณ์บนหน้าเว็บไซต์เมื่อวันพูธ (29 พ.ย.) ว่าบริษัทผลิตชิป DRAM ชนิด Low Power Double Data Rate 5 หรือ LPDDR5 ตัวแรกของจีนได้สำเร็จ ซึ่งเป็นชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่เปิดตัวครั้งแรกโดย Samsung Electronics ของเกาหลีใต้ในปี 2018

ความก้าวหน้าดังกล่าวเกิดขึ้นท่ามกลางมาตรการคว่ำบาตรของสหรัฐฯ ที่ขัดขวางการพัฒนาของจีนในด้านการผลิตชิปขั้นสูง จะทำให้จีนสามารถลดการพึ่งพาชิ้นส่วนนำเข้าที่ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น โทรศัพท์มือถือและคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป 

CXMT ระบุว่า ชิปแรม LPDDR5 ขนาด 12 กิกะไบต์ (GB) ได้รับการตรวจสอบแล้วโดยผู้ผลิตสมาร์ทโฟนชาวจีน รวมถึง Xiaomi และ Transsion

CXMT กล่าวว่า ชิปหน่วยความจำเจเนอเรชันใหม่ มีความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลและความจุมากกว่าชิป DDR4X รุ่นก่อนถึง 50% ในขณะที่อัตราการใช้พลังงานลดลง 30% ซึ่งทางบริษัทระบุว่า ชิปดังกล่าวจะช่วยให้บริษัทมีผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายขึ้น และทำให้ตัวตนของบริษัทในตลาดอุปกรณ์มือถือมีความชัดเจนมากยิ่งขึ้น